近年來，隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟，行業(yè)對(duì)碳化硅功率器件的應(yīng)用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率器件具有極低的門極電荷與導(dǎo)通阻抗、極高的開關(guān)速率以及高耐溫等優(yōu)良特性，使其能夠高頻率地運(yùn)行。因而采用碳化硅功率器件，有助于整機(jī)端降低功率損耗、提高功率密度以及提升轉(zhuǎn)換效率等。

針對(duì)碳化硅功率器件的市場(chǎng)需求，青銅劍技術(shù)基于光耦隔離驅(qū)動(dòng)方案，設(shè)計(jì)了一款雙通道、緊湊型驅(qū)動(dòng)核2CD0205T12-ABC，可應(yīng)用于空間有限、中低壓和高可靠性領(lǐng)域。

該款碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核，因其緊湊、布局靈活與走線友好的特點(diǎn)，能簡(jiǎn)化客戶的外圍電路設(shè)計(jì)，便于客戶快速迭代開發(fā)、生產(chǎn)、安裝及使用。

典型應(yīng)用領(lǐng)域

儲(chǔ)能變流器

產(chǎn)品特點(diǎn)

雙通道碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核

功率器件最高電壓支持1200V

單通道驅(qū)動(dòng)功率2W，峰值電流±5A

適配TO-247封裝碳化硅單管

設(shè)計(jì)緊湊，尺寸為29mm*35mm*11mm（外殼：33.4mm*39.4mm*14mm）

2.0mm排針接口輸入/輸出

絕緣電壓高達(dá)5000V

集成隔離DC/DC電源

集成副邊電源欠壓保護(hù)

集成米勒鉗位

集成VDS短路保護(hù)

集成軟關(guān)斷

集成PWM互鎖功能

原理框圖

典型外圍接線圖

產(chǎn)品尺寸圖

關(guān)鍵參數(shù)

多種門極電壓配置型號(hào)

短路保護(hù)及軟關(guān)斷功能

本驅(qū)動(dòng)核集成的軟關(guān)斷功能，可有效抑制碳化硅MOSFET在發(fā)生短路時(shí)產(chǎn)生的尖峰電壓。2CD0205T12-ABC驅(qū)動(dòng)核內(nèi)部集成V_DSDT檢測(cè)和軟關(guān)斷功能，當(dāng)檢測(cè)到模塊進(jìn)入退保和時(shí)，驅(qū)動(dòng)核輸出的門極信號(hào)在2us內(nèi)的響應(yīng)時(shí)間后，進(jìn)入軟關(guān)斷階段，降低由于過高的短路電流所帶來的關(guān)斷尖峰電壓。

高壓短路波形

雙脈沖測(cè)試數(shù)據(jù)

該驅(qū)動(dòng)核搭配測(cè)試底板2AB0205T12-QTJ，匹配B1M032120HC_BASIC單管碳化硅MOSFET測(cè)試數(shù)據(jù)。

青銅劍技術(shù)專注于功率器件驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)IC、測(cè)試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

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