11月6-9日，第四屆國(guó)際高壓直流會(huì)議（HVDC2020）在西安順利舉行。青銅劍技術(shù)總經(jīng)理傅俊寅、副總經(jīng)理陳恒星受邀出席活動(dòng)。會(huì)上，青銅劍技術(shù)展示了最新高壓大功率門極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，并推介磁環(huán)取能壓接式IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)，受到與會(huì)觀眾熱烈關(guān)注。

第四屆國(guó)際高壓直流會(huì)議以“邁向未來(lái)電力系統(tǒng)的直流輸電技術(shù)”為主題，吸引了來(lái)自國(guó)內(nèi)外高等院校、科研院所、電力運(yùn)行、設(shè)計(jì)及規(guī)劃企業(yè)、電力裝備制造企業(yè)等單位的300余名代表參加了會(huì)議。直流輸電和電力電子領(lǐng)域的著名專家學(xué)者圍繞高壓直流輸電、柔性直流輸電、電力電子技術(shù)、靈活交流輸電、電能質(zhì)量等熱點(diǎn)難點(diǎn)議題，交流經(jīng)驗(yàn)、共享成果。

青銅劍技術(shù)副總經(jīng)理陳恒星作技術(shù)分享

青銅劍技術(shù)是中國(guó)功率器件驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)，驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品類型豐富。此次在會(huì)議展示的高壓大功率門極驅(qū)動(dòng)器具有高集成、智能化和高可靠性特點(diǎn)，采用自主研發(fā)ASIC芯片，設(shè)計(jì)緊湊、功耗低、調(diào)試方便、應(yīng)用多元、具有成本優(yōu)勢(shì)，能安全可靠地驅(qū)動(dòng)IGBT和碳化硅功率器件。

得益于強(qiáng)大的創(chuàng)新能力，青銅劍技術(shù)在驅(qū)動(dòng)方案上不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。會(huì)上重點(diǎn)推介的磁環(huán)取能壓接式IGBT驅(qū)動(dòng)方案可應(yīng)用于高壓輸電、船舶逆變等領(lǐng)域，通過(guò)控制流過(guò)硅膠導(dǎo)線的電流，原邊電流源實(shí)現(xiàn)對(duì)副邊驅(qū)動(dòng)組的供電。相較于傳統(tǒng)采用多層級(jí)隔離或者做大隔離變壓器絕緣的方案，磁環(huán)取能的壓接式IGBT驅(qū)動(dòng)方案簡(jiǎn)化了系統(tǒng)，降低了設(shè)計(jì)成本。

磁環(huán)取能式驅(qū)動(dòng)器1QP0635V45-Q

青銅劍技術(shù)電流源QTJCSP100及配套的磁環(huán)取能壓接式IGBT驅(qū)動(dòng)器1QP0635V45-Q的成套解決方案，已通過(guò)了一系列的EMC與可靠性實(shí)驗(yàn)，可滿足高壓輸電等應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)于分立器件的絕緣性能的嚴(yán)苛要求。1QP0635V45-Q是一款專門針對(duì)壓接封裝4500V的IGBT（IEGT）模塊開(kāi)發(fā)的即插即用型驅(qū)動(dòng)器，適用于高壓直流輸電領(lǐng)域的斷路器以及換流閥組的IGBT的驅(qū)動(dòng)。該產(chǎn)品采用數(shù)字控制芯片CPLD和光纖信號(hào)傳輸接口，進(jìn)一步提升了 IGBT 開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)為 IGBT提供最優(yōu)化的保護(hù)。